應(yīng)用S7-200時,可以選用以下幾種數(shù)據(jù)保持方法:
CPU的內(nèi)置超級電容,斷電時間不太長時,可以為數(shù)據(jù)和時鐘的保持提供電源緩沖
CPU上可以附加電池卡,與內(nèi)置電容配合,長期為時鐘和數(shù)據(jù)保持提供電源
設(shè)置系統(tǒng)塊,在CPU斷電時自動保存M區(qū)中的14個字節(jié)數(shù)據(jù)
在數(shù)據(jù)塊中定義不需要更改的數(shù)據(jù),下載到CPU內(nèi)可以永久保存
用戶編程使用相應(yīng)的特殊寄存器功能,將數(shù)據(jù)寫入EEPROM永久保存
上述前三個數(shù)據(jù)保持功能都是在“系統(tǒng)塊-數(shù)據(jù)保持”中設(shè)置
S7-200系統(tǒng)中用到了三種存儲器件:
RAM: 易失性的存儲器,失去電源供應(yīng)后,其中保存的數(shù)據(jù)會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容+外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T(定時器)、C(計(jì)數(shù)器)等各數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)容,在CPU失電后的表現(xiàn)由用戶在系統(tǒng)塊“數(shù)據(jù)保持”頁中設(shè)置
EEPROM:非易失的電可擦除存儲器,保存數(shù)據(jù)不需要供電,并且可以改寫其內(nèi)容。上述RAM數(shù)據(jù)區(qū)中有的部分與EEPROM中的區(qū)域一一對應(yīng)。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區(qū)中
外插存儲卡:非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數(shù)據(jù)記錄(歸檔)、配方數(shù)據(jù),以及一些其他文件等
S7-200 CPU的以下數(shù)據(jù)空間屬于RAM存儲區(qū):
變量存儲區(qū)(V):可以按位、字節(jié)、字或雙字來存取V 區(qū)數(shù)據(jù)
位存儲區(qū)(M):可以按位、字節(jié)、字或雙字來存取M區(qū)數(shù)據(jù)
定時器存儲區(qū)(T):用于時間累計(jì),分辨率分為1ms、10ms、100ms三種
計(jì)數(shù)器存儲區(qū)(C):用于累計(jì)其輸入端脈沖電平由低到高的次數(shù)。CPU提供了三種類 型的計(jì)數(shù)器:一種只能增計(jì)數(shù);一種只能減計(jì)數(shù);另外一種既可 以增計(jì)數(shù),又可以減計(jì)數(shù)。
RAM區(qū)的數(shù)據(jù)保持靠“內(nèi)置超級電容+外插電池卡”的機(jī)制。
在CPU內(nèi)部靠一個超級電容,在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖,保存時間可達(dá)幾天之久,具體時間見表1、表2。CPU上電時,超級電容就可以充電。要獲得規(guī)格表中的數(shù)據(jù)保持時間,電容必須連續(xù)充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡(需單獨(dú)定貨),在超級電容耗盡后為RAM數(shù)據(jù)區(qū)提供電源緩沖。在連續(xù)無供電時,它可使用200天(即保持?jǐn)?shù)據(jù)達(dá)200天)。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。
電池卡是不可充電的。
CPU內(nèi)置的EEPROM存儲器用于永久保存數(shù)據(jù),包括與RAM數(shù)據(jù)區(qū)一一對應(yīng)的全部的V存儲區(qū)、部分M存儲區(qū)(MB0 - MB13)、定時器(TONR)。
例如V存儲區(qū)的VW100(RAM)在EEPROM中有其獨(dú)占的對應(yīng)地址,數(shù)據(jù)在從EERPOM中寫到V存儲區(qū)中時,其目標(biāo)地址就是VW100。
數(shù)據(jù)可以用如下方式寫入EEPROM數(shù)據(jù)區(qū):
在編程軟件Micro/WIN的Data Block(數(shù)據(jù)塊)中定義V數(shù)據(jù)區(qū)存儲單元的初始值,下載數(shù)據(jù)塊時,這些數(shù)值也被寫入到相應(yīng)的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32,用編程方法將V存儲區(qū)的數(shù)據(jù)寫入EEPROM
在System Block(系統(tǒng)塊)中設(shè)置數(shù)據(jù)保持功能,可將MB0 - MB13的內(nèi)容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中
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