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十條黃金規(guī)則匯總
規(guī)則1. 為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT ，直至負(fù)載電流達(dá)到≧
IL 。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。
規(guī)則2. 要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須<IH, 并維持足夠長(zhǎng)的時(shí)
間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。
規(guī)則3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）。
規(guī)則4. 為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若
用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容
和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅。
規(guī)則5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問(wèn)題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。
若高dICOM/dt 可能引起問(wèn)題，加入一幾mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。
另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅。
規(guī)則6. 假如雙向可控硅的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下
列措施之一：
負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。
規(guī)則7. 選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的
dIT/dt 承受能力。
規(guī)則8. 若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無(wú)鐵芯電感
或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。
規(guī)則9. 器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把
鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
規(guī)則10. 為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的
最高環(huán)境溫度。
以上很有用處，謝謝樓主分享！

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謝謝樓主奉獻(xiàn)

雖然有學(xué)過(guò)，但還是要謝謝樓主的精神

  

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